Misceláneo, Radiocomunicación, Refacciones
Marca: SYSCOM
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
SKU: RD70HUP2
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Agotado
$1,552.80
Agotado
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
DESCRIPCIÓN
RD70HUP2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
CARACTERISTICAS
- Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
- Empleando el paquete de molde
- Alta potencia y alta eficiencia
-
Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ
@ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz -
Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ
@ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz - Diodo integrado de protección de la puerta.
- Cumple con la normativa RoHS de la Unión Europea
- Tolerancia a VSWR de carga: 65:1 (todas las fases) a 135MHz con VDS=16.3V, Pin=2W
- Tolerancia a VSWR de carga: 20:1 (todas las fases) a 135MHz con VDS=16.3V, Pout ajustado a 70W
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.
Características Eléctricas (Tc=25°C)
- IDSS: ≤150μA (VDS=37V, VGS=0V)
- IGSS: ≤2.5μA (VGS=10V, VDS=0V)
- VTH: 1.6-2.4V (VDS=12V, IDS=1mA)
- Resistencia térmica: 0.17-0.35°C/W (junction to case)
- Medición: Unilateral (por lado individual)
- Pruebas: Muestreo aleatorio (22pcs/Lote)
Aplicación Técnica
Diseñado para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en sistemas de radio móvil VHF/UHF, proporcionando alta eficiencia y potencia en bandas de 175MHz y 530MHz. Compatible con placas de evaluación Mitsubishi para VHF y UHF. Características típicas incluyen curvas de rendimiento para frecuencias de 135MHz, 155MHz, 175MHz, 380MHz, 425MHz, 450MHz, 470MHz, 490MHz y 530MHz.
